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IRF640NPBF 產(chǎn)品實(shí)物圖片
IRF640NPBF 產(chǎn)品實(shí)物圖片
商品圖片1
商品圖片2
商品圖片3
注:圖像僅供參考,請參閱產(chǎn)品規(guī)格數(shù)據(jù)手冊

IRF640NPBF

商品編碼: BM0000286903
品牌?:?
Infineon(英飛凌)
封裝?:?
TO-220AB
包裝?:?
管裝
重量?:?
2.64g
描述?:?
場效應(yīng)管(MOSFET) 150W 200V 18A 1個(gè)N溝道 TO-220AB
庫存 :
180387(起訂量1,增量1)
批次 :
25+
數(shù)量 :
X
0.976
按整 :
管(1管有1000個(gè))
合計(jì) :
¥0
梯度
內(nèi)地(含稅)
香港
1+
¥0.976
--
1000+
¥0.899
--
20000+
產(chǎn)品參數(shù)
產(chǎn)品手冊
產(chǎn)品概述

IRF640NPBF參數(shù)

類型1個(gè)N溝道漏源電壓(Vdss)200V
連續(xù)漏極電流(Id)18A導(dǎo)通電阻(RDS(on)@Vgs,Id)150mΩ@10V,11A
功率(Pd)150W閾值電壓(Vgs(th)@Id)2V@250uA
柵極電荷(Qg@Vgs)67nC@10V輸入電容(Ciss@Vds)1.16nF
反向傳輸電容(Crss@Vds)53pF工作溫度-55℃~+175℃

IRF640NPBF手冊

IRF640NPBF概述

產(chǎn)品概述:IRF640NPBF N通道MOSFET

一、產(chǎn)品背景

IRF640NPBF是由英飛凌(Infineon)制造的一款高性能功率MOSFET,其設(shè)計(jì)特點(diǎn)是專為高電壓和大電流應(yīng)用而優(yōu)化,廣泛用于電源轉(zhuǎn)換、逆變器和電動汽車等高效能電子設(shè)備。這款N通道MOSFET具有卓越的導(dǎo)通性能和低電阻,使其在各種電源管理和開關(guān)應(yīng)用中提供高效能。

二、主要參數(shù)

  1. 漏源電壓(Vdss): 200V

    • IRF640NPBF能夠承受的最大漏源電壓高達(dá)200伏,適用于高壓電源電路。
  2. 連續(xù)漏極電流(Id): 18A @ 25°C

    • 在標(biāo)準(zhǔn)工作環(huán)境下,產(chǎn)品能夠提供18安培的電流,滿足大多數(shù)典型應(yīng)用的需求。
  3. 導(dǎo)通電阻(Rds(on)): 最大值150毫歐 @ 10V, 11A

    • 低導(dǎo)通電阻意味著電流通過時(shí)的能量損耗較小,有助于提升系統(tǒng)整體效率與散熱表現(xiàn)。
  4. 柵極電荷(Qg): 最大值67nC @ 10V

    • 適中的柵極電荷使MOSFET具有良好的驅(qū)動響應(yīng)能力,適用于高速開關(guān)應(yīng)用。
  5. 功率耗散(Pd): 150W(Tc)

    • 具備高功率耗散能力,適合于高功率設(shè)備的應(yīng)用。
  6. 工作溫度范圍: -55°C ~ 175°C(TJ)

    • 設(shè)計(jì)的寬廣工作溫度范圍使得IRF640NPBF能夠在惡劣環(huán)境下穩(wěn)定運(yùn)行,適用于工業(yè)和汽車應(yīng)用。
  7. 安裝類型: 通孔 (Through-hole)

    • TO-220AB封裝所采用的通孔安裝方式方便在各種電路板上進(jìn)行安裝和焊接。
  8. 輸入電容(Ciss): 最大值1160pF @ 25V

    • 適當(dāng)?shù)妮斎腚娙葜涤兄诳刂崎_關(guān)速度,提高開關(guān)效率。
  9. 閾值電壓(Vgs(th)): 最大值4V @ 250μA

    • 顯示出MOSFET啟動時(shí)所需的最低柵極-source電壓,為電路設(shè)計(jì)提供便利。

三、產(chǎn)品應(yīng)用

IRF640NPBF適合于多種應(yīng)用場合,包括但不限于:

  • 電源管理: 可用于SMPS(開關(guān)電源)和DC-DC轉(zhuǎn)換器,提供高效能和高功率密度的電源解決方案。
  • 電動汽車: 在電動汽車動力系統(tǒng)中,可用作驅(qū)動電機(jī)的開關(guān)元件。
  • 逆變器: 在光伏逆變器、UPS(不間斷電源)中為電流轉(zhuǎn)換提供可靠的開關(guān)能力。
  • 電機(jī)驅(qū)動: 用于工業(yè)電機(jī)控制和驅(qū)動電路,以確保高效且可靠的電機(jī)操作。
  • 自動化設(shè)備: 在工業(yè)自動化應(yīng)用中,作為控制和驅(qū)動信號調(diào)節(jié)元件。

四、設(shè)計(jì)考慮

在設(shè)計(jì)電路時(shí),應(yīng)重視以下幾點(diǎn):

  • 散熱管理: 盡管IRF640NPBF具有較高的功率耗散能力,但在高電流應(yīng)用中仍需相應(yīng)的散熱設(shè)計(jì),以避免過熱對器件性能造成影響。
  • 驅(qū)動電壓: 應(yīng)確保柵極驅(qū)動電壓在10V以上,以實(shí)現(xiàn)最低的導(dǎo)通電阻,提升工作效率。
  • 封裝選擇: TO-220AB的封裝設(shè)計(jì)不僅支持通孔安裝,還易于在PCB板上進(jìn)行散熱設(shè)計(jì),考慮與其他部件的布局問題。

五、結(jié)論

IRF640NPBF N通道MOSFET,憑借其出色的電氣特性和可靠性,成為高效能電源及電動汽車等應(yīng)用的理想選擇。設(shè)計(jì)師在考慮實(shí)施該MOSFET時(shí),應(yīng)充分利用其優(yōu)越性能,實(shí)現(xiàn)高效、可靠的電源管理及控制系統(tǒng)。

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