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CS18N20BP 產(chǎn)品實物圖片
CS18N20BP 產(chǎn)品實物圖片
9.0
注:圖像僅供參考,請參閱產(chǎn)品規(guī)格

CS18N20BP

9.0折
商品編碼: BM0217097159
品牌?:?
Convert Semiconductor(鍇威特半導(dǎo)體)
封裝?:?
TO-220
包裝?:?
編帶
重量?:?
-
描述?:?
-
庫存 :
845(起訂量1,增量1)
批次 :
24+
數(shù)量 :
X
0.6543
按整 :
圓盤(1圓盤有1000個)
合計 :
¥0
梯度
內(nèi)地(含稅)
price
香港
1+
¥0.6543
--
1000+
¥0.603
--
10000+
產(chǎn)品參數(shù)
產(chǎn)品手冊
產(chǎn)品概述

CS18N20BP參數(shù)

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無數(shù)據(jù)

CS18N20BP手冊

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無數(shù)據(jù)

CS18N20BP概述

CS18N20BP 產(chǎn)品概述

基本信息:

  • 品牌: Convert Semiconductor
  • 封裝: TO-220
  • 類型: N溝道MOSFET

簡介: CS18N20BP是一款高性能的N溝道MOSFET(場效應(yīng)晶體管),適用于各種電源管理和開關(guān)應(yīng)用。其優(yōu)秀的電氣特性以及穩(wěn)定的工作性能使其成為電源轉(zhuǎn)換、馬達控制和高功率開關(guān)等應(yīng)用的理想選擇。

主要特性:

  • 高耐壓: CS18N20BP具有良好的耐壓能力,最大漏極-源極電壓(V_DS)高達20V,這使它適用于較高電壓的應(yīng)用場景。
  • 低導(dǎo)通電阻 (R_DS(on)): 該器件具備較低的導(dǎo)通電阻,從而降低了在開關(guān)過程中產(chǎn)生的熱量,提高了效率,尤其適合用于高頻和高效率的電源轉(zhuǎn)換。
  • 快速開關(guān)特性: CS18N20BP的快速開關(guān)特性允許其在高頻率下穩(wěn)定運行,適合高頻開關(guān)電源(SMPS)等應(yīng)用。
  • 高可靠性: 采用成熟的半導(dǎo)體制造工藝,確保其在長時間高負荷及極端環(huán)境條件下的可靠性。

應(yīng)用領(lǐng)域:

  1. 電源轉(zhuǎn)換器:CS18N20BP能夠在開關(guān)轉(zhuǎn)換器中高效地控制輸出電壓和電流,提升電源轉(zhuǎn)換效率,減少功耗。
  2. 馬達控制:憑借其出色的開關(guān)特性和耐壓能力,該MOSFET廣泛應(yīng)用于直流電動機和無刷電動機的驅(qū)動控制中。
  3. LED驅(qū)動電路:在LED照明應(yīng)用中,CS18N20BP可有效地管理電流,確保燈光的均勻亮度和延長使用壽命。
  4. 消費電子:廣泛應(yīng)用于各種消費電子產(chǎn)品中的電源管理,實現(xiàn)高效能和長時間的電池續(xù)航使用。

技術(shù)規(guī)格:

  • 封裝類型:TO-220,是一種常見的通用封裝,適合散熱器使用,方便在電路板布局時提供可靠的散熱性能。
  • 最大漏極電流 (I_D):測試條件下,CS18N20BP的最大漏極電流高達18A,允許其在較高負載下安全工作。
  • 最大工作溫度:其工作溫度范圍為-55°C至150°C,適應(yīng)多種環(huán)境條件。
  • 輸入柵極電荷 (Q_g):較低的輸入柵極電荷使得其驅(qū)動電路設(shè)計變得更加簡單和高效。

總結(jié): CS18N20BP N溝道MOSFET憑借其高耐壓、低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)特性,為各種電源管理和開關(guān)應(yīng)用提供了強大支持。無論是在工業(yè)控制、消費電子,還是在電動汽車及其他高功率應(yīng)用中,CS18N20BP都是一款優(yōu)秀的選擇。通過與散熱器的結(jié)合使用,用戶能夠在長時間運行的情況下確保器件的穩(wěn)定性和可靠性,充分發(fā)揮其優(yōu)異的電性能。

對于設(shè)計工程師而言,選擇CS18N20BP不僅能夠優(yōu)化系統(tǒng)的性能,還能在電路設(shè)計中提供更多靈活性,幫助用戶實現(xiàn)更高的設(shè)計目標。由此可見,CS18N20BP是一款值得信賴的高性能MOSFET,其廣泛的應(yīng)用潛力使其在電子元器件領(lǐng)域具有重要地位。

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