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APG250N01Q 產(chǎn)品實(shí)物圖片
APG250N01Q 產(chǎn)品實(shí)物圖片
注:圖像僅供參考,請(qǐng)參閱產(chǎn)品規(guī)格數(shù)據(jù)手冊(cè)

APG250N01Q

商品編碼: BM0224264774
品牌?:?
ALLPOWER(銓力)
封裝?:?
PDFN3x3-8L
包裝?:?
編帶
重量?:?
-
描述?:?
場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 20mΩ@20V,25A 100V 25A 1個(gè)N溝道 PDFN3x3-8L
庫(kù)存 :
9889(起訂量1,增量1)
批次 :
2年內(nèi)
數(shù)量 :
X
0.518
按整 :
圓盤(1圓盤有5000個(gè))
合計(jì) :
¥0
梯度
內(nèi)地(含稅)
香港
1+
¥0.518
--
5000+
¥0.47
--
50000+
產(chǎn)品參數(shù)
產(chǎn)品手冊(cè)
產(chǎn)品概述

APG250N01Q參數(shù)

類型1個(gè)N溝道漏源電壓(Vdss)100V
連續(xù)漏極電流(Id)25A功率(Pd)45W
閾值電壓(Vgs(th)@Id)1.2V@250uA柵極電荷(Qg@Vgs)22.7nC@10V
輸入電容(Ciss@Vds)822pF@50V反向傳輸電容(Crss@Vds)23.5pF@50V
工作溫度-55℃~+150℃

APG250N01Q手冊(cè)

APG250N01Q概述

APG250N01Q 產(chǎn)品概述

一、基本信息

APG250N01Q 是一款高性能的 N 溝道場(chǎng)效應(yīng)管 (MOSFET),由知名品牌 ALLPOWER(銓力)制造。該器件在封裝、規(guī)格和性能方面表現(xiàn)優(yōu)異,適用于廣泛的應(yīng)用場(chǎng)景。

二、產(chǎn)品特性

  1. 電氣參數(shù)

    • 導(dǎo)通電阻 (R_DS(on)):僅為 20mΩ @ 20V,這是其最顯著的特點(diǎn)之一。低導(dǎo)通電阻能夠有效降低導(dǎo)通損耗,從而提升系統(tǒng)的整體效率。
    • 電流承載能力:支持最大 25A 的直通電流,適合高負(fù)載應(yīng)用。
    • 最大耐壓:能夠承受高達(dá) 100V 的工作電壓,這使得該 MOSFET 可以在多種電源環(huán)境下工作。
  2. 封裝類型

    • APG250N01Q 采用 PDFN3x3-8L 封裝,這種封裝體積小巧且散熱性能良好,使其能夠在緊湊的設(shè)計(jì)中發(fā)揮重要作用,同時(shí)提供足夠的空間以能適應(yīng)不同電路板布局需求。
  3. 高效能表現(xiàn)

    • 低導(dǎo)通電阻和高電流承載能力使得 APG250N01Q 可以在高頻切換條件下運(yùn)行,降低開關(guān)損耗,提高整體系統(tǒng)效率。

三、應(yīng)用領(lǐng)域

APG250N01Q 的卓越性能使其廣泛適用于以下應(yīng)用領(lǐng)域:

  1. 電源管理

    • 適用于開關(guān)電源(SMPS)設(shè)計(jì),特別是在 DC-DC 轉(zhuǎn)換器中。由于其低 ESR 和高開關(guān)速度,能夠大幅提升電源的轉(zhuǎn)換效率及穩(wěn)定性。
  2. 電動(dòng)汽車

    • 在電池管理系統(tǒng)、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和快速充電模塊中,能夠高效處理大電流及高電壓,確保系統(tǒng)的安全性與可靠性。
  3. 工業(yè)控制

    • 包括電機(jī)驅(qū)動(dòng)和其他自動(dòng)化設(shè)備,APG250N01Q 可作為開關(guān)元件高效控制負(fù)載并提升操作性能。
  4. 消費(fèi)電子

    • 應(yīng)用于各種消費(fèi)電子產(chǎn)品,如大功率音響、游戲機(jī)以及其他高性能設(shè)備中,在保證功率輸出的同時(shí),降低整體能耗。

四、設(shè)計(jì)建議

在設(shè)計(jì)使用 APG250N01Q 的電路時(shí),用戶應(yīng)注意以下幾點(diǎn):

  1. 散熱管理:由于高電流應(yīng)用會(huì)產(chǎn)生熱量,因此建議在 PCB 設(shè)計(jì)中充分考慮散熱設(shè)計(jì),以確保 MOSFET 的良好散熱效率。必要時(shí)可使用散熱片增強(qiáng)散熱效果。

  2. 驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì):確保提供適當(dāng)?shù)臇膨?qū)動(dòng)電壓,以確保 MOSFET 能夠完全開啟,從而達(dá)到最優(yōu)的導(dǎo)通狀態(tài),發(fā)掘其性能潛力。

  3. 布局優(yōu)化:在 PCB 布局中,輸入信號(hào)與 MOSFET 之間的路徑應(yīng)盡可能短,以減少開關(guān)噪聲和延遲,確保電路的穩(wěn)定性和響應(yīng)速度。

  4. 保護(hù)電路:在高電流高壓應(yīng)用中,建議加裝保護(hù)電路,例如過流保護(hù)和瞬態(tài)抑制,防止 MOSFET 在突發(fā)情況下受到損害。

五、總結(jié)

APG250N01Q MOSFET 是一款優(yōu)秀的 N 溝道場(chǎng)效應(yīng)管,具備低導(dǎo)通電阻和高電流承載能力等優(yōu)良特性,適用于多種高效電源管理與控制系統(tǒng)。憑借其出色的性能,APG250N01Q 是設(shè)計(jì)師在現(xiàn)代電源和控制應(yīng)用中值得信賴的選擇。無論是電動(dòng)汽車、工業(yè)控制還是消費(fèi)電子領(lǐng)域,APG250N01Q 都將為用戶提供卓越的解決方案,提升產(chǎn)品的效能與競(jìng)爭(zhēng)力。

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