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英飛凌

英飛凌科技股份有限公司（Infineon Technologies AG）成立于1999年，總部位于德國慕尼黑，是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造商之一。英飛凌的前身是西門子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門，1999年獨(dú)立并于2000年上市。公司專注于高能效、移動(dòng)性和安全性領(lǐng)域，致力于為汽車、工業(yè)、消費(fèi)電子和通信等行業(yè)提供創(chuàng)新的半導(dǎo)體解決方案。英飛凌的產(chǎn)品以其高可靠性和卓越質(zhì)量著稱，涵蓋功率器件、微控制器、安全芯片等多個(gè)領(lǐng)域。近年來，英飛凌通過收購賽普拉斯半導(dǎo)體等公司，不斷擴(kuò)大其在汽車電子和物聯(lián)網(wǎng)市場的影響力。公司在全球擁有多個(gè)研發(fā)中心和生產(chǎn)基地，員工總數(shù)超過58,000人，持續(xù)推動(dòng)半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展與應(yīng)用。

分類 :

全部場效應(yīng)管(MOSFET)(911)柵極驅(qū)動(dòng)IC(91)三極管(BJT)(81)肖特基二極管(72)功率電子開關(guān)(38)IGBT管/模塊(36)瞬態(tài)抑制二極管(TVS)(27)通用二極管(20)AC-DC控制器和穩(wěn)壓器(17)電機(jī)驅(qū)動(dòng)芯片(16)線性穩(wěn)壓器(LDO)(14)RF放大器(12)LED驅(qū)動(dòng)(9)單片機(jī)(MCU/MPU/SOC)(9)磁性傳感器(8)光耦-邏輯輸出(7)變?nèi)荻O管(6)射頻開關(guān)(5)數(shù)字晶體管(5)音頻功率放大器(4)角度、線性位置傳感器(4)電容(4)其他照明驅(qū)動(dòng)(4)靜電放電(ESD)保護(hù)器件(3)DC-DC控制芯片(3)DC-DC電源芯片(3)整流橋(3)開關(guān)(2)壓力傳感器(2)射頻芯片/天線(2)無線收發(fā)芯片(2)開關(guān)二極管(2)智能功率模塊(2)固態(tài)繼電器(2)接口 - 驅(qū)動(dòng)器,接收器,收發(fā)器(2)電機(jī)與驅(qū)動(dòng)器(1)傳感器配件(1)傳感器模塊(1)監(jiān)控和復(fù)位芯片(1)專業(yè)電源管理(PMIC)(1)FIFO存儲器(1)咪頭/麥克風(fēng)(1)MEMS麥克風(fēng)(1)二極管(1)晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè)(1)功率電子開關(guān)(1)特殊用途晶體管(1)CAN芯片(1)未分類(1)肖特基二極管(1)

型號/品牌參數(shù)/描述庫存/批次價(jià)格階梯(含稅)數(shù)量操作

自營IRLML6402TRPBF

品牌：Infineon(英飛凌)

封裝：SOT-23(Micro3)

手冊：-

類型：1個(gè)P溝道

漏源電壓(Vdss)：20V

連續(xù)漏極電流(Id)：3.7A

導(dǎo)通電阻(RDS(on)@Vgs,Id)：65mΩ@4.5V,3.7A

描述：場效應(yīng)管(MOSFET) 1.3W 20V 3.7A 1個(gè)P溝道 SOT-23

庫存：182947

批次?:?2年內(nèi)

最小包?:?3000

起訂量?:?1

增量?:?1

1+￥0.296

3000+￥0.262

45000+

量大可議價(jià)

合計(jì)：￥0.3

自營IRF640NPBF

品牌：Infineon(英飛凌)

封裝：TO-220AB

手冊：-

類型：1個(gè)N溝道

漏源電壓(Vdss)：200V

連續(xù)漏極電流(Id)：18A

導(dǎo)通電阻(RDS(on)@Vgs,Id)：150mΩ@10V,11A

描述：場效應(yīng)管(MOSFET) 150W 200V 18A 1個(gè)N溝道 TO-220AB

庫存：180387

批次?:?25+

最小包?:?1000

起訂量?:?1

增量?:?1

1+￥0.976

1000+￥0.899

20000+

量大可議價(jià)

合計(jì)：￥0.98

自營BSS84PH6327XTSA2

品牌：Infineon(英飛凌)

封裝：SOT-23-3

手冊：-

FET 類型：P 通道

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：60V

25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：170mA（Ta）

描述：絕緣柵場效應(yīng)管（MOSFET）

庫存：149323

批次?:?25+

最小包?:?3000

起訂量?:?1

增量?:?1

1+￥0.17

3000+￥0.15

45000+

量大可議價(jià)

合計(jì)：￥0.17

自營IRF9540NPBF

品牌：Infineon(英飛凌)

封裝：TO-220

手冊：-

類型：1個(gè)P溝道

漏源電壓(Vdss)：100V

連續(xù)漏極電流(Id)：23A

導(dǎo)通電阻(RDS(on)@Vgs,Id)：117mΩ@10V,11A

描述：場效應(yīng)管(MOSFET) 140W 100V 23A 1個(gè)P溝道 TO-220-3

庫存：127313

批次?:?25+

最小包?:?1000

起訂量?:?1

增量?:?1

1+￥1.14

1000+￥1.05

20000+

量大可議價(jià)

合計(jì)：￥1.14

自營IRF8707TRPBF

品牌：Infineon(英飛凌)

封裝：SO-8

手冊：-

類型：1個(gè)N溝道

漏源電壓(Vdss)：30V

連續(xù)漏極電流(Id)：11A

導(dǎo)通電阻(RDS(on)@Vgs,Id)：11.9mΩ@10V,11A

描述：場效應(yīng)管(MOSFET) 2.5W 30V 11A 1個(gè)N溝道 SOIC-8

庫存：89690

批次?:?25+

最小包?:?4000

起訂量?:?1

增量?:?1

1+￥0.844

4000+￥0.8

24000+

量大可議價(jià)

合計(jì)：￥0.84

自營IRLML6244TRPBF

品牌：Infineon(英飛凌)

封裝：SOT-23(Micro3)

手冊：-

類型：1個(gè)N溝道

漏源電壓(Vdss)：20V

連續(xù)漏極電流(Id)：6.3A

導(dǎo)通電阻(RDS(on)@Vgs,Id)：21mΩ@4.5V,6.3A

描述：場效應(yīng)管(MOSFET) 1.3W 20V 6.3A 1個(gè)N溝道 SOT-23

庫存：83612

批次?:?2年內(nèi)

最小包?:?3000

起訂量?:?1

增量?:?1

1+￥0.337

3000+￥0.315

45000+

量大可議價(jià)

合計(jì)：￥0.34

自營IRLML2502TRPBF

品牌：Infineon(英飛凌)

封裝：SOT-23(Micro3)

手冊：-

類型：1個(gè)N溝道

漏源電壓(Vdss)：20V

連續(xù)漏極電流(Id)：4.2A

導(dǎo)通電阻(RDS(on)@Vgs,Id)：45mΩ@4.5V,4.2A

描述：場效應(yīng)管(MOSFET) 1.25W 20V 4.2A 1個(gè)N溝道 SOT-23

庫存：81586

批次?:?2年內(nèi)

最小包?:?3000

起訂量?:?1

增量?:?1

1+￥0.305

3000+￥0.27

45000+

量大可議價(jià)

合計(jì)：￥0.31

自營BSS123NH6327XTSA1

品牌：Infineon(英飛凌)

封裝：SOT-23-3

手冊：-

安裝類型：表面貼裝型

不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：6 歐姆 @ 190mA，10V

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V

描述：場效應(yīng)管(MOSFET) 500mW 100V 190mA 1個(gè)N溝道 TO-236-3

庫存：79093

批次?:?2年內(nèi)

最小包?:?3000

起訂量?:?1

增量?:?1

1+￥0.237

3000+￥0.21

45000+

量大可議價(jià)

合計(jì)：￥0.24

自營IRF7316TRPBF

品牌：Infineon(英飛凌)

封裝：SO-8

手冊：-

類型：2個(gè)P溝道

漏源電壓(Vdss)：30V

連續(xù)漏極電流(Id)：4.9A

導(dǎo)通電阻(RDS(on)@Vgs,Id)：58mΩ@10V,4.9A

描述：場效應(yīng)管(MOSFET) 2W 30V 4.9A 2個(gè)P溝道 SOP-8

庫存：72028

批次?:?2年內(nèi)

最小包?:?4000

起訂量?:?1

增量?:?1

1+￥1.79

4000+￥1.7

24000+

量大可議價(jià)

合計(jì)：￥1.79

自營IRLML6346TRPBF

品牌：Infineon(英飛凌)

封裝：SOT-23(Micro3)

手冊：-

類型：1個(gè)N溝道

漏源電壓(Vdss)：30V

連續(xù)漏極電流(Id)：3.4A

導(dǎo)通電阻(RDS(on)@Vgs,Id)：63mΩ@4.5V,5A

描述：場效應(yīng)管(MOSFET) 1.3W 30V 3.4A 1個(gè)N溝道 SOT-23

庫存：71993

批次?:?2年內(nèi)

最小包?:?3000

起訂量?:?1

增量?:?1

1+￥0.385

3000+￥0.36

45000+

量大可議價(jià)

合計(jì)：￥0.39

自營BSS169 H6327

品牌：Infineon(英飛凌)

封裝：PG-SOT-23-3

手冊：-

描述：絕緣柵場效應(yīng)管（MOSFET）

庫存：67776

批次?:?2年內(nèi)

最小包?:?3000

起訂量?:?1

增量?:?1

1+￥0.385

3000+￥0.36

45000+

量大可議價(jià)

合計(jì)：￥0.39

自營IRLML9301TRPBF

品牌：Infineon(英飛凌)

封裝：SOT-23(Micro3)

手冊：-

類型：1個(gè)P溝道

漏源電壓(Vdss)：30V

連續(xù)漏極電流(Id)：3.6A

導(dǎo)通電阻(RDS(on)@Vgs,Id)：64mΩ@10V,3.6A

描述：場效應(yīng)管(MOSFET) 1.3W 30V 3.6A 1個(gè)P溝道 SOT-23

庫存：64903

批次?:?2年內(nèi)

最小包?:?3000

起訂量?:?1

增量?:?1

1+￥0.385

3000+￥0.36

45000+

量大可議價(jià)

合計(jì)：￥0.39

自營IRLML6302TRPBF

品牌：Infineon(英飛凌)

封裝：SOT-23(Micro3)

手冊：-

漏源電壓（Vdss）：20V

連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時(shí)）：780mA

柵源極閾值電壓：1.5V @ 250uA

漏源導(dǎo)通電阻：600mΩ @ 610mA,4.5V

描述：場效應(yīng)管(MOSFET) 540mW 20V 780mA 1個(gè)P溝道 SOT-23

庫存：63428

批次?:?2年內(nèi)

最小包?:?3000

起訂量?:?1

增量?:?1

1+￥0.337

3000+￥0.315

45000+

量大可議價(jià)

合計(jì)：￥0.34

自營IRLML6401TRPBF

品牌：Infineon(英飛凌)

封裝：SOT-23(Micro3)

手冊：-

類型：1個(gè)P溝道

漏源電壓(Vdss)：12V

連續(xù)漏極電流(Id)：4.3A

導(dǎo)通電阻(RDS(on)@Vgs,Id)：50mΩ@4.5V,4.3A

描述：場效應(yīng)管(MOSFET) 1.3W 12V 4.3A 1個(gè)P溝道 SOT-23

庫存：61900

批次?:?24+

最小包?:?3000

起訂量?:?1

增量?:?1

1+￥0.29

3000+￥0.257

45000+

量大可議價(jià)

合計(jì)：￥0.29

自營IRFZ44NPBF

品牌：Infineon(英飛凌)

封裝：TO-220

手冊：-

類型：1個(gè)N溝道

漏源電壓(Vdss)：55V

連續(xù)漏極電流(Id)：49A

導(dǎo)通電阻(RDS(on)@Vgs,Id)：17.5mΩ@10V,25A

描述：場效應(yīng)管(MOSFET) 94W 55V 49A 1個(gè)N溝道 TO-220AB

庫存：61616

批次?:?2年內(nèi)

最小包?:?1000

起訂量?:?1

增量?:?1

1+￥0.912

1000+￥0.84

20000+

量大可議價(jià)

合計(jì)：￥0.91

自營IRLML0040TRPBF

品牌：Infineon(英飛凌)

封裝：SOT-23(Micro3)

手冊：-

類型：1個(gè)N溝道

漏源電壓(Vdss)：40V

連續(xù)漏極電流(Id)：3.6A

導(dǎo)通電阻(RDS(on)@Vgs,Id)：56mΩ@10V

描述：場效應(yīng)管(MOSFET) 1.3W 40V 3.6A 1個(gè)N溝道 TO-236-3

庫存：60945

批次?:?2年內(nèi)

最小包?:?3000

起訂量?:?1

增量?:?1

1+￥0.57

3000+￥0.53

45000+

量大可議價(jià)

合計(jì)：￥0.57

自營IRFR9024NTRPBF

品牌：Infineon(英飛凌)

封裝：TO-252-3(DPAK)

手冊：-

類型：1個(gè)P溝道

漏源電壓(Vdss)：55V

連續(xù)漏極電流(Id)：11A

導(dǎo)通電阻(RDS(on)@Vgs,Id)：175mΩ@10V,6.6A

描述：場效應(yīng)管(MOSFET) 38W 55V 11A 1個(gè)P溝道 TO-252-2(DPAK)

庫存：56988

批次?:?2年內(nèi)

最小包?:?2000

起訂量?:?1

增量?:?1

1+￥0.786

2000+￥0.725

40000+

量大可議價(jià)

合計(jì)：￥0.79

自營BSP129H6327XTSA1

品牌：Infineon(英飛凌)

封裝：SOT-223

手冊：-

FET 類型：N 通道

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：240V

25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：350mA（Ta）

描述：絕緣柵場效應(yīng)管（MOSFET）

庫存：55882

批次?:?25+

最小包?:?1000

起訂量?:?1

增量?:?1

1+￥1.39

1000+￥1.28

20000+

量大可議價(jià)

合計(jì)：￥1.39

自營2N7002H6327XTSA2

品牌：Infineon(英飛凌)

封裝：SOT-23-3

手冊：-

FET 類型：N 通道

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：60V

25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：300mA（Ta）

描述：場效應(yīng)管(MOSFET) 500mW 60V 300mA 1個(gè)N溝道 SOT-23

庫存：55220

批次?:?25+

最小包?:?3000

起訂量?:?1

增量?:?1

1+￥0.181

3000+￥0.16

45000+

量大可議價(jià)

合計(jì)：￥0.18

自營MMBT3904LT1HTSA1

品牌：Infineon(英飛凌)

封裝：SOT-23-3

手冊：-

晶體管類型：NPN

集電極電流(Ic)：200mA

集射極擊穿電壓(Vceo)：40V

功率(Pd)：330mW

描述：三極管(BJT) 330mW 40V 200mA NPN SOT-23

庫存：54000

批次?:?25+

最小包?:?3000

起訂量?:?1

增量?:?1

1+￥0.332

3000+￥0.294

45000+

量大可議價(jià)

合計(jì)：￥0.33

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