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深圳銓力半導(dǎo)體有限公司 品牌logo圖

深圳銓力半導(dǎo)體有限公司

深圳銓力半導(dǎo)體有限公司成立于2016年,是一家專(zhuān)注于功率半導(dǎo)體電子元器件研發(fā)與銷(xiāo)售的高新技術(shù)企業(yè)。公司總部位于中國(guó)深圳,并在韓國(guó)和廣州設(shè)有分公司。銓力的研發(fā)團(tuán)隊(duì)由來(lái)自臺(tái)灣、美國(guó)硅谷及國(guó)內(nèi)頂尖技術(shù)精英組成,致力于為客戶(hù)提供高性能的半導(dǎo)體產(chǎn)品。公司年產(chǎn)超400KK的中低壓MOSFET和AC-DC電源管理芯片等產(chǎn)品,廣泛應(yīng)用于電腦、網(wǎng)絡(luò)通信、消費(fèi)電子、手機(jī)及電池等領(lǐng)域。銓力始終堅(jiān)持以客戶(hù)需求為導(dǎo)向,通過(guò)持續(xù)的研發(fā)創(chuàng)新,提供綠色、節(jié)能、高效的功率半導(dǎo)體解決方案,力求為客戶(hù)的成功提供強(qiáng)有力的支持。憑借強(qiáng)大的研發(fā)能力和高效的服務(wù)團(tuán)隊(duì),銓力已成為多個(gè)行業(yè)的重要合作伙伴,產(chǎn)品遠(yuǎn)銷(xiāo)國(guó)內(nèi)外。

分類(lèi) :
全部場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)(57)
型號(hào)/品牌參數(shù)/描述庫(kù)存/批次價(jià)格階梯(含稅)數(shù)量操作
AP4946S 產(chǎn)品實(shí)物圖片
自營(yíng)AP4946S
封裝:SOP-8
手冊(cè):-
類(lèi)型2個(gè)N溝道
漏源電壓(Vdss)60V
連續(xù)漏極電流(Id)5A
導(dǎo)通電阻(RDS(on)@Vgs,Id)35mΩ@10V,5A
描述:場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 2.5W 60V 5A 2個(gè)N溝道 SOP-8
庫(kù)存:105048
批次?:?24+
最小包?:?4000
起訂量?:?1
增量?:?1
9.0
1+0.2844
4000+0.252
40000+
量大可議價(jià)
合計(jì):0.28
已優(yōu)惠 0.04
AP4580 產(chǎn)品實(shí)物圖片
自營(yíng)AP4580
封裝:SOT-23-8L
手冊(cè):-
類(lèi)型2個(gè)N溝道+2個(gè)P溝道
漏源電壓(Vdss)20V
連續(xù)漏極電流(Id)2A
導(dǎo)通電阻(RDS(on)@Vgs,Id)146mΩ@4.5V,1.8A
描述:場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 全橋 2個(gè)N溝道+2個(gè)P溝道 SOT-23-8L
庫(kù)存:27209
批次?:?2年內(nèi)
最小包?:?3000
起訂量?:?1
增量?:?1
1+0.247
3000+0.219
30000+
量大可議價(jià)
合計(jì):0.25
AP2301B 產(chǎn)品實(shí)物圖片
自營(yíng)AP2301B
封裝:SOT-23-3
手冊(cè):-
類(lèi)型1個(gè)P溝道
漏源電壓(Vdss)20V
連續(xù)漏極電流(Id)2A
導(dǎo)通電阻(RDS(on)@Vgs,Id)160mΩ@2.5V,1A
描述:場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 750mW 20V 2A 1個(gè)P溝道 SOT-23
庫(kù)存:15000
批次?:?25+
最小包?:?3000
起訂量?:?1
增量?:?1
1+0.0479
3000+0.038
30000+
量大可議價(jià)
合計(jì):0.05
AP4407C 產(chǎn)品實(shí)物圖片
自營(yíng)AP4407C
封裝:SOP-8
手冊(cè):-
類(lèi)型1個(gè)P溝道
漏源電壓(Vdss)30V
連續(xù)漏極電流(Id)12A
導(dǎo)通電阻(RDS(on)@Vgs,Id)19mΩ@4.5V,5A
描述:場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 3.7W 30V 12A 1個(gè)P溝道 SOP-8
庫(kù)存:14455
批次?:?2年內(nèi)
最小包?:?4000
起訂量?:?1
增量?:?1
1+0.337
4000+0.298
40000+
量大可議價(jià)
合計(jì):0.34
APG068N04G 產(chǎn)品實(shí)物圖片
自營(yíng)APG068N04G
封裝:PDFN5x6-8L
手冊(cè):-
類(lèi)型1個(gè)N溝道
漏源電壓(Vdss)40V
連續(xù)漏極電流(Id)50A
閾值電壓(Vgs(th)@Id)1V@250uA
描述:場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 5.7mΩ@20V,50A 40V 50A 1個(gè)N溝道 PDFN5x6-8L
庫(kù)存:13955
批次?:?2年內(nèi)
最小包?:?5000
起訂量?:?1
增量?:?1
1+0.518
5000+0.47
50000+
量大可議價(jià)
合計(jì):0.52
APG077N01G 產(chǎn)品實(shí)物圖片
自營(yíng)APG077N01G
封裝:PDFN-8(5.1x5.8)
手冊(cè):-
類(lèi)型1個(gè)N溝道
漏源電壓(Vdss)100V
連續(xù)漏極電流(Id)60A
導(dǎo)通電阻(RDS(on)@Vgs,Id)10mΩ@4.5V,40A
描述:場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 105W 100V 90A 1個(gè)N溝道 PDFN-8(5.1x5.8)
庫(kù)存:13600
批次?:?25+
最小包?:?5000
起訂量?:?1
增量?:?1
1+1.01
5000+0.961
50000+
量大可議價(jià)
合計(jì):1.01
AP5N10S 產(chǎn)品實(shí)物圖片
自營(yíng)AP5N10S
封裝:SOT-23-3L
手冊(cè):-
類(lèi)型1個(gè)N溝道
漏源電壓(Vdss)100V
連續(xù)漏極電流(Id)5A
導(dǎo)通電阻(RDS(on)@Vgs,Id)115mΩ@10V,3A
描述:場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 5W 100V 5A 1個(gè)N溝道 SOT-23-3L
庫(kù)存:12647
批次?:?2年內(nèi)
最小包?:?3000
起訂量?:?1
增量?:?1
1+0.158
3000+0.14
30000+
量大可議價(jià)
合計(jì):0.16
AP2301 產(chǎn)品實(shí)物圖片
自營(yíng)AP2301
封裝:SOT-23
手冊(cè):-
類(lèi)型1個(gè)P溝道
漏源電壓(Vdss)20V
連續(xù)漏極電流(Id)3A
導(dǎo)通電阻(RDS(on)@Vgs,Id)57mΩ@4.5V,3A
描述:場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 1W 20V 3A 1個(gè)P溝道 SOT-23
庫(kù)存:11978
批次?:?25+
最小包?:?3000
起訂量?:?1
增量?:?1
1+0.0819
3000+0.065
30000+
量大可議價(jià)
合計(jì):0.08
AP20P30Q 產(chǎn)品實(shí)物圖片
自營(yíng)AP20P30Q
封裝:DFN(3x3)
手冊(cè):-
類(lèi)型1個(gè)P溝道
漏源電壓(Vdss)30V
連續(xù)漏極電流(Id)20A
導(dǎo)通電阻(RDS(on)@Vgs,Id)18mΩ@4.5V,20A
描述:場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 40W 30V 20A 1個(gè)P溝道 DFN-8(3x3.3)
庫(kù)存:11679
批次?:?25+
最小包?:?5000
起訂量?:?1
增量?:?1
1+0.424
5000+0.4
50000+
量大可議價(jià)
合計(jì):0.42
AP60P20Q 產(chǎn)品實(shí)物圖片
自營(yíng)AP60P20Q
封裝:PDFN3x3-8L
手冊(cè):-
類(lèi)型1個(gè)P溝道
漏源電壓(Vdss)20V
連續(xù)漏極電流(Id)60A
導(dǎo)通電阻(RDS(on)@Vgs,Id)7mΩ@4.5V,20A
描述:場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 80W 20V 60A 1個(gè)P溝道 DFN-8(3.3x3.3)
庫(kù)存:11288
批次?:?2年內(nèi)
最小包?:?5000
起訂量?:?1
增量?:?1
1+0.424
5000+0.4
50000+
量大可議價(jià)
合計(jì):0.42
AP1606 產(chǎn)品實(shí)物圖片
自營(yíng)AP1606
封裝:DFN(1x0.6)
手冊(cè):-
功率(Pd)550mW
反向傳輸電容(Crss@Vds)6.5pF@10V
商品分類(lèi)場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)
導(dǎo)通電阻(RDS(on)@Vgs,Id)180mΩ@4.5V,0.5A
描述:場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 550mW 20V 700mA 1個(gè)N溝道 DFN-3L(0.6x1)
庫(kù)存:10010
批次?:?2年內(nèi)
最小包?:?10000
起訂量?:?1
增量?:?1
1+0.0646
10000+0.053
100000+
量大可議價(jià)
合計(jì):0.06
AP3908GD 產(chǎn)品實(shí)物圖片
自營(yíng)AP3908GD
封裝:PDFN(5x6)
手冊(cè):-
功率(Pd)32W
反向傳輸電容(Crss@Vds)278pF@15V
商品分類(lèi)場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)
導(dǎo)通電阻(RDS(on)@Vgs,Id)34mΩ@4.5V,25A
描述:場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 1個(gè)N溝道+1個(gè)P溝道 DFN-8(5x6)
庫(kù)存:10009
批次?:?2年內(nèi)
最小包?:?5000
起訂量?:?1
增量?:?1
1+0.454
5000+0.412
30000+
量大可議價(jià)
合計(jì):0.45
APG035N04Q 產(chǎn)品實(shí)物圖片
自營(yíng)APG035N04Q
封裝:PDFN-8L(3x3)
手冊(cè):-
類(lèi)型1個(gè)N溝道
漏源電壓(Vdss)40V
連續(xù)漏極電流(Id)100A
功率(Pd)51.6W
描述:場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 2.8mΩ@20V,70A 40V 70A 1個(gè)N溝道 PDFN-8L(3x3)
庫(kù)存:9998
批次?:?2年內(nèi)
最小包?:?5000
起訂量?:?1
增量?:?1
1+0.672
5000+0.624
30000+
量大可議價(jià)
合計(jì):0.67
AP3910GD 產(chǎn)品實(shí)物圖片
自營(yíng)AP3910GD
封裝:FN-8-EP
手冊(cè):-
類(lèi)型1個(gè)N溝道+1個(gè)P溝道
漏源電壓(Vdss)30V
連續(xù)漏極電流(Id)36A
導(dǎo)通電阻(RDS(on)@Vgs,Id)14mΩ@10V,30A
描述:場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 35W 30V 36A 1個(gè)N溝道+1個(gè)P溝道 DFN-8-EP(5x6)
庫(kù)存:9990
批次?:?2年內(nèi)
最小包?:?5000
起訂量?:?1
增量?:?1
1+0.571
5000+0.53
30000+
量大可議價(jià)
合計(jì):0.57
AP6683 產(chǎn)品實(shí)物圖片
自營(yíng)AP6683
封裝:DFN-4-EP(1x1)
手冊(cè):-
庫(kù)存:9988
批次?:?25+
最小包?:?10000
起訂量?:?1
增量?:?1
1+0.165
10000+0.15
60000+
量大可議價(jià)
合計(jì):0.17
AP3908QD 產(chǎn)品實(shí)物圖片
自營(yíng)AP3908QD
封裝:PDFN3x3
手冊(cè):-
類(lèi)型1個(gè)N溝道+1個(gè)P溝道
漏源電壓(Vdss)30V
連續(xù)漏極電流(Id)20A
導(dǎo)通電阻(RDS(on)@Vgs,Id)34mΩ@4.5V,20A
描述:場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 21W 30V 20A 1個(gè)N溝道+1個(gè)P溝道 DFN-8-EP(3.2x3.1)
庫(kù)存:9920
批次?:?25+
最小包?:?5000
起訂量?:?1
增量?:?1
1+0.36
5000+0.34
50000+
量大可議價(jià)
合計(jì):0.36
APG250N01Q 產(chǎn)品實(shí)物圖片
自營(yíng)APG250N01Q
封裝:PDFN3x3-8L
手冊(cè):-
類(lèi)型1個(gè)N溝道
漏源電壓(Vdss)100V
連續(xù)漏極電流(Id)25A
功率(Pd)45W
描述:場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 20mΩ@20V,25A 100V 25A 1個(gè)N溝道 PDFN3x3-8L
庫(kù)存:9889
批次?:?2年內(nèi)
最小包?:?5000
起訂量?:?1
增量?:?1
1+0.518
5000+0.47
50000+
量大可議價(jià)
合計(jì):0.52
AP4435C 產(chǎn)品實(shí)物圖片
自營(yíng)AP4435C
封裝:SOP-8
手冊(cè):-
類(lèi)型1個(gè)P溝道
漏源電壓(Vdss)30V
連續(xù)漏極電流(Id)10A
導(dǎo)通電阻(RDS(on)@Vgs,Id)23mΩ@10V
描述:場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 3.7W 30V 10A 1個(gè)P溝道 SOP-8
庫(kù)存:9846
批次?:?2年內(nèi)
最小包?:?4000
起訂量?:?1
增量?:?1
1+0.271
4000+0.24
40000+
量大可議價(jià)
合計(jì):0.27
AP90P03Q 產(chǎn)品實(shí)物圖片
自營(yíng)AP90P03Q
封裝:PDFN3x3-8L
手冊(cè):-
類(lèi)型1個(gè)P溝道
漏源電壓(Vdss)30V
連續(xù)漏極電流(Id)60A
導(dǎo)通電阻(RDS(on)@Vgs,Id)7.5mΩ@10V
描述:場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 48W 30V 60A 1個(gè)P溝道 PDFN-8(3x3.2)
庫(kù)存:9680
批次?:?2年內(nèi)
最小包?:?5000
起訂量?:?1
增量?:?1
1+0.56
5000+0.52
50000+
量大可議價(jià)
合計(jì):0.56
AP2012 產(chǎn)品實(shí)物圖片
自營(yíng)AP2012
封裝:TSSOP-8
手冊(cè):-
類(lèi)型2個(gè)N溝道
漏源電壓(Vdss)20V
連續(xù)漏極電流(Id)12A
導(dǎo)通電阻(RDS(on)@Vgs,Id)9.5mΩ@4.5V,5A
描述:場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 2W 20V 12A 2個(gè)N溝道 TSSOP-8
庫(kù)存:9664
批次?:?2年內(nèi)
最小包?:?5000
起訂量?:?1
增量?:?1
1+0.303
5000+0.275
30000+
量大可議價(jià)
合計(jì):0.3
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